文献类型：期刊文章

作　　者：曹凡[1] 贾双凤[1] 刘曦[1,2] 刘宇峰[1,3] 郑赫[1] 王建波[1,4]

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院,电子显微镜中心,人工微结构教育部重点实验室和高等研究院,湖北武汉430072 [2]华中科技大学附属中学,湖北武汉430074 [3]天门中学,湖北天门431700 [4]中南大学轻质高强结构材料重点实验室,湖南长沙410083

出　　处：《电子显微学报》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)(No.2011CB933300);国家自然科学基金资助项目(Nos.51671148,51271134,J1210061,11674251,51501132,51601132);湖北省自然科学基金资助项目(Nos.2016CFB446,2016CFB155);中央高校基本科研业务费专项基金;高等学校仪器设备和优质资源共享系统(No.CERS-1-26);中国博士后科学基金资助项目(No.2014T70734);中南大学轻质高强结构材料国家级重点实验室开放研究基金;苏州科技项目资助(No.SYG201619)

年　　份：2017

卷　　号：36

期　　号：3

起止页码：214-221

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSCD、CSCD_E2017_2018、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：通过简单的热氧化法,可以得到不同取向畴的CuO纳米线结构。利用群论的知识,从理论上推导出CuO纳米线中存在11种畴壁结构,其中5种已经被实验证实。同时,在800℃下得到直径较大的CuO纳米线,利用透射电子显微学相关技术分析发现,这种纳米线中存在一种新的畴壁结构,而且也属于理论上得到的11种畴壁之一。本文利用群论分析,解释了CuO纳米线中取向畴结构的生成机制,对调控CuO纳米材料的生长具有指导作用。

关 键 词：CuO纳米线  取向畴  群论 电子显微学

分 类 号：TB383.1[材料类] TN304.21]