文献类型：期刊文章

作　　者：赵宏宇[1] 王頔[1] 魏智[1] 金光勇[1]

机构地区：[1]长春理工大学理学院,吉林省固体激光技术与应用重点实验室,长春130022

出　　处：《物理学报》

基　　金：吉林省科学技术厅项目(批准号:20150622011JC)资助的课题~~

年　　份：2017

卷　　号：66

期　　号：10

起止页码：107-115

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000403088000014)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：为了研究毫秒脉冲激光致硅基PIN光电二极管电学损伤,基于热传导及弹塑性力学理论,在光电二极管内部材料各向同性并且P-I-N三层结构之间满足温度连续和热流平衡条件下,建立毫秒脉冲激光辐照硅基PIN光电二极管二维轴对称模型,采用有限元方法模拟分析了1064 nm Nd:YAG毫秒量级脉冲激光辐照硅基PIN光电二极管的温度场与应力场分布,并实验测量了硅基PIN光电二极管实验前后的电学参数.结果表明,激光辐照硅基PIN光电二极管时,温升使材料表面熔融、烧蚀,并且在空间上存在温度梯度变化,即激光辐照产生的热与应力使光敏面及硅晶格晶键损伤,最终造成光电探测器的探测性能下降.研究结果可为毫秒脉冲激光辐照硅基PIN光电二极管电学损伤机理奠定基础.

关 键 词：毫秒激光  光电二极管 响应度 暗电流

分 类 号：TN249] TN31