文献类型：期刊文章

作　　者：宋云菲[1,2] 王贞福[1] 李特[1] 杨国文[1,3]

机构地区：[1]中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安710119 [2]中国科学院大学,北京100049 [3]西安立芯光电科技有限公司,西安710077

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61504167);中国科学院百人计划(批准号:Y429941233)资助的课题~~

年　　份：2017

卷　　号：66

期　　号：10

起止页码：101-106

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000403088000013)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：提高808 nm大功率半导体激光器电光转换效率具有重要的学术意义和商业价值,是实现器件小型化、轻量化、高可靠性的必要前提.本文以腔长1.5 mm的传导冷却封装808 nm半导体激光阵列为研究对象,在热沉温度-40—25?C范围内对其进行光电特性测试,对不同温度下电光转换效率的影响因子进行了实验研究和理论分析.结果表明:在-40?C环境温度下,最高电光转换效率从室温25?C时的56.7%提高至66.8%,内量子效率高达96.3%,载流子泄漏损耗的占比贡献由16.6%下降至3.1%.该研究对实现808 nm高效率半导体激光芯片的自主研发具有重要意义.

关 键 词：半导体激光芯片  电光转换效率 温度

分 类 号：TN248.4]