期刊文章详细信息
用于2.5D封装技术的微凸点和硅通孔工艺
Technics of Microbump and TSV for 2.5D Package Technology
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十研究所,沈阳110032
年 份：2017
卷 号：38
期 号：2
起止页码：15-18
语 种：中文
收录情况：ZGKJHX、普通刊
摘 要：过去几十年里,微电子器件尺寸按照摩尔定律持续减小,已经进入到真正的纳米时代。尽管集成电路的特征尺寸已经进入20nm之下,但是在特定领域,尤其是存储器、FPGA等对资源要求极高的领域,仅仅依靠摩尔定律已经不能满足市场需求。市场永无止境地对在可控功耗范围内实现更多的资源以及更高的代工厂良率提出迫切要求。针对一种新的2.5D封装技术,介绍了其中使用的微凸点(microbump)和硅通孔(through-silicon vias,TSV)等两项关键工艺,并进行了分析。
关 键 词：硅通孔 堆叠硅互连 微凸点 凸点下金属化层 封装 电沉积
分 类 号：TN911]
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