文献类型：期刊文章

作　　者：陈选龙[1,2,3] 刘丽媛[1,3] 黎恩良[1,3] 王宏芹[1,3]

CHEN Xuanlong LIU Liyuan LI Enliang WANG Hongqin(The 5th Electronics Research Institute, Ministry of Industry and Information Technology, Cruangzhou 510610, P. R. China School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, P. R. China Reliability Research and Analysis Center, China CEPREI Laboratory, Guangzhou 510610, P. R. China)

机构地区：[1]工业和信息化部电子第五研究所,广州510610 [2]中山大学电子与信息工程学院,广州510275 [3]中国赛宝实验室可靠性研究分析中心,广州510610

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家自然科学青年基金资助项目(51304176);广东省公益研究与能力建设专项资金项目(2015A030401022)

年　　份：2017

卷　　号：47

期　　号：2

起止页码：285-288

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD_E2017_2018、核心刊

摘　　要：EMMI被广泛应用于集成电路的失效分析和机理判定。针对端口I-V特性曲线的异常现象,采用静态电流的发光效应对漏电点进行光发射定位。静态电流法无法全面测试集成电路内部逻辑单元,需要使用动态信号驱动集成电路,使内部失效部位能够产生光发射。对样品在动态失效工作状态进行光发射捕捉,再结合良品对比、电路原理图和版图分析等辅助手段进行故障假设,以定位失效点,最后利用FIB系统对电路进行剖面切割制样,找出物理损伤点。对砷化镓数字集成电路的不稳定软失效案例进行分析,动态EMMI法与FIB系统联用可成功应用于芯片内部金属化互连异常的失效分析,解决传统静态光发射法无法定位的技术难题。

关 键 词：动态EMMI  集成电路 失效定位  失效分析  聚焦粒子束  

分 类 号：TN306] TN406