文献类型：期刊文章

作　　者：高一文[1] 周虹君[2]

机构地区：[1]重庆文理学院教学部,重庆永川402160 [2]重庆文理学院电子电气工程学院,重庆永川402160

出　　处：《西南师范大学学报（自然科学版）》

基　　金：重庆市科委基础与前沿研究项目(cstc2015jcyjA40054)

年　　份：2017

卷　　号：42

期　　号：3

起止页码：27-33

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用抛物型电子能谱模型,求出了半导体基底的态密度和半导体基底上形成的外延石墨烯的态密度,并与理想单层石墨烯的态密度相比较,分析外延石墨烯态密度特点和能隙产生的条件.以Si基底上形成的外延石墨烯为例,论述了外延石墨烯态密度按能量分布的特点和吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响.结果表明:(1)外延石墨烯的局域态密度曲线与理想单层石墨烯和基底的态密度曲线不同,它不具有对零能量的左右对称性;(2)吸附不仅使理想单层石墨烯和半导体基底的态密度曲线对零能量的左右对称性受到破坏,而且改变了石墨烯的能隙宽度;(3)外延石墨烯的能隙宽度随着半导体基底与石墨烯相互作用能的增大而增大,但变化较小.

关 键 词：外延石墨烯  半导体基底  态密度 能隙 吸附  

分 类 号：O481]