文献类型：期刊文章

作　　者：海一娜[1] 邹永刚[1] 田锟[1] 马晓辉[1] 王海珠[1] 范杰[1] 白云峰[1]

HAI Yi-na ZOU Yong-gang TIAN Kun MA Xiao-hui WANG Hai-zhu FAN Jie BAI Yun-feng(State Key laboratory of High-power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China)

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《中国光学》

基　　金：吉林省科技计划重点项目(No.20140204028GX;No.20150204068GX)~~

年　　份：2017

卷　　号：10

期　　号：2

起止页码：194-206

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSCD、CSCD_E2017_2018、EI、ESCI(收录号：WOS:000410122200004)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、WOS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：近年来,水平腔面发射半导体激光器具有高功率、高光束质量及易封装集成等优良性能,已成为激光器领域的研究热点。本文详细阐述了几种水平腔面发射半导体激光器的结构设计、工作原理以及激光输出特性,并对该激光器国内外最新研究进展与发展现状进行了总结和论述。在此基础上,对该激光器的研究方向和发展趋势进行了分析与展望。目前,水平腔面发射半导体激光器的激光输出功率可达瓦级,美国Alfalight公司引入曲线形光栅的单一发射器输出功率可达73 W。随着应用领域的不断拓展,中远红外波段水平腔面发射激光器将成为未来的研究焦点。

关 键 词：面发射 转向镜  二阶光栅  光子晶体 半导体激光器

分 类 号：TN248.4]