文献类型：期刊文章

作　　者：龙浩[1] 张智超[1] 顾锦华[2] 王皓宁[1] 丁楚伟[3] 钟志有[1]

Long Hao Zhang Zhichao Gu Jinhua Wang Haoning Ding Chuwei Zhong Zhiyou(College of Electronic Information Engineering, South-Central University for National ities, Wuhan 430074, China Center of Experiment Teaching, South-Central University for National ities, Wuhan 430074, China Wuhan Guangchi Education ＆ Technology Co L td , Wuhan 4 3 0 2 0 5 , China)

机构地区：[1]中南民族大学电子信息工程学院,武汉430074 [2]中南民族大学实验教学与实验室管理中心,武汉430074 [3]武汉光驰教育科技股份有限公司,武汉430205

出　　处：《中南民族大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11504436);湖北省自然科学基金资助项目(2015CFB364);中南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZW15045;CZQ16003)

年　　份：2017

卷　　号：36

期　　号：1

起止页码：71-75

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.

关 键 词：发光二极管 氮化镓 多量子阱 效率衰减  

分 类 号：TN311] TN383