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局部氮化硅包覆颗粒在高效多晶硅铸锭中的应用 ( EI收录)
APPLICATION OF PARTIALLY Si_3N_4-COATED PARTICLES IN HIGHEFFICIENCE MULTI-CRYSTALLINE SILICON CAST INGOT
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]南京工业大学材料科学与工程学院,南京210009 [2]东海晶澳太阳能科技有限公司,连云港222300 [3]西安华晶电子技术股份有限公司,西安710000
基 金:国家重点基础研究(973)发展计划(2009CB623100);江苏省普通高校研究生科研创新计划(CXZZ11-0326)
年 份:2017
卷 号:38
期 号:2
起止页码:317-322
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI(收录号:20172103693032)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:降低多晶硅晶体中的位错密度,可以提高多晶硅电池的性能,目前多采用异质形核的方法来生长柱状晶粒,以降低晶体中的位错密度,但是目前普遍采用的以SiO_2颗粒作为异质形核点的方法容易导致硅锭底部和坩埚粘连,并导致硅锭中间隙氧(O_i)含量升高。该文通过制备局部氮化硅包覆的SiC-Si O_2复合颗粒(PCP)作为异质形核点来生长柱状晶粒。结果显示采用适当粒径(300~500μm)的PCP具有较好的引晶效果,且对应硅锭的O_i含量显著降低。
关 键 词:高效多晶硅 异质形核 复合颗粒 引晶
分 类 号:TM914.4]
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