文献类型：期刊文章

作　　者：董慧[1] 尹长浩[1,2] 王梓旭[1] 钟根香[2] 周建华[3] 黄新明[1,2]

机构地区：[1]南京工业大学材料科学与工程学院,南京210009 [2]东海晶澳太阳能科技有限公司,连云港222300 [3]西安华晶电子技术股份有限公司,西安710000

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：国家重点基础研究(973)发展计划(2009CB623100);江苏省普通高校研究生科研创新计划(CXZZ11-0326)

年　　份：2017

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：317-322

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI(收录号：20172103693032)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：降低多晶硅晶体中的位错密度,可以提高多晶硅电池的性能,目前多采用异质形核的方法来生长柱状晶粒,以降低晶体中的位错密度,但是目前普遍采用的以SiO_2颗粒作为异质形核点的方法容易导致硅锭底部和坩埚粘连,并导致硅锭中间隙氧(O_i)含量升高。该文通过制备局部氮化硅包覆的SiC-Si O_2复合颗粒(PCP)作为异质形核点来生长柱状晶粒。结果显示采用适当粒径(300~500μm)的PCP具有较好的引晶效果,且对应硅锭的O_i含量显著降低。

关 键 词：高效多晶硅  异质形核 复合颗粒  引晶  

分 类 号：TM914.4]