文献类型：期刊文章

作　　者：房迪[1] 肖清泉[1,2] 廖杨芳[1,3] 袁正兵[1] 王善兰[1] 吴宏仙[1]

FANG Di XIAO Qingquan LIAO Yangfang YUAN Zhengbing WANG Shanlan WU Hongxian(Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology of College of Big Data and Information Engineering of Guizhou University, Guiyang 550025 Engineering Center for Avionics Electrical and Information Network of Guizhou Provincial Colleges and Universities, Anshun University, Anshun 561000 School of Physics and Electronic Science of Guizhou Normal University, Guiyang 550001)

机构地区：[1]贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025 [2]安顺学院航空电子电气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心,安顺561000 [3]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家自然科学基金(61264004);贵州省科技攻关计划(黔科合GY字[2011]3015);贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2013]7003);贵州省教育厅"125"重大科技专项(黔教合重大专项字[2012]003);贵阳市科技计划(筑科合同[2012101]2-16);贵州省自然科学基金(黔科合J字[2014]2052;黔科合J字[2013]2209);安顺学院航空电子电气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心开放基金(HKDZ201403);贵州省青年英才培养工程项目(黔省专合字[2012]152);贵州省科技厅贵州大学联合基金(黔科合LH字[2014]7610);贵州大学研究生创新基金(研理工2016068)

年　　份：2017

卷　　号：31

期　　号：4

起止页码：9-13

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI(收录号：20172203701742)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用磁控溅射技术和退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备了Mg_2Si半导体薄膜,研究了Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜结构及其电学性质的影响。在钠钙玻璃上分别溅射两组相同厚度(175nm)的P-Si和N-Si膜,然后在其上溅射不同厚度Mg膜(240nm、256nm、272nm、288nm、304nm),低真空退火4h制备一系列Mg_2Si半导体薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测试仪对Mg_2Si薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性质进行表征与分析。结果表明:采用磁控溅射技术在钠钙玻璃衬底上成功制备出以Mg_2Si(220)为主的Mg_2Si薄膜。随着沉积Mg膜厚度的增加,Mg_2Si衍射峰逐渐增强,薄膜表面更连续,电阻率逐渐减小,霍尔迁移率逐渐降低,载流子浓度逐渐增加。此外,Si膜导电类型和Mg膜厚度共同影响Mg_2Si薄膜的导电类型。溅射N-Si膜时,Mg_2Si薄膜的导电类型随着Mg膜厚度的增加由P型转化为N型;溅射P-Si膜时,Mg_2Si薄膜的导电类型为P型。可以控制制备的Mg_2Si半导体薄膜的导电类型,这对Mg_2Si薄膜的器件开发有着重要的指导意义。

关 键 词：钠钙玻璃 Mg2Si薄膜  膜厚 磁控溅射

分 类 号：TN304.055]