文献类型：期刊文章

作　　者：王祖军[1] 刘静[2] 薛院院[1] 何宝平[1] 姚志斌[1] 盛江坤[1]

机构地区：[1]西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024 [2]湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭411105

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金项目(11305126;11235008);国家重点实验室基金项目(SKLIPR1211)

年　　份：2017

卷　　号：38

期　　号：1

起止页码：1-7

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元结构、从局部氧化物隔离技术(LOCOS)到浅槽隔离(STI)的不同CIS隔离氧化层等方面,综述了CIS总剂量辐照效应研究进展。从CIS器件工艺结构、工作模式和读出电路加固设计等方面简要介绍了CIS抗辐射加固技术研究进展。分析总结了目前CIS总剂量辐照效应及加固技术研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展相关研究提供理论指导。

关 键 词：CMOS图像传感器 总剂量效应 辐照损伤 抗辐射加固技术  

分 类 号：TP212]