期刊文章详细信息
InSb晶片的机械加工损伤层研究
Study of Mechanical Damage Layers of InSb Wafers
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]华北光电技术研究所,北京100015 [2]空军驻华北地区军事代表室,北京100086
年 份：2017
卷 号：38
期 号：1
起止页码：6-11
语 种：中文
收录情况：CAS、普通刊
摘 要：结合X射线衍射技术以及逐层化学腐蚀剥离损伤层的方法,定量分析了InSb晶体由于切割、研磨、抛光等工艺所引入的损伤层的深度,并探讨了损伤层结构及引入因素。研究结果表明,切割加工是引入InSb晶片表面损伤层的主要工序,其表面损伤层的深度达到16μm左右;双面研磨的InSb晶片表面的损伤层深度约为12μm;经机械化学抛光加工后的InSb晶片表面的损伤层深度明显减小,约为2μm。
关 键 词：INSB 切割 研磨 抛光 损伤层
分 类 号：TN305.1]
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