文献类型：期刊文章

作　　者：王花[1] 孙晓红[1] 王真[1] 齐永乐[1] 王毅乐[1]

机构地区：[1]郑州大学信息工程学院河南省激光与光电信息技术重点实验室,河南郑州450052

出　　处：《红外与激光工程》

基　　金：河南省基础与前沿研究计划项目(152300410023)

年　　份：2016

卷　　号：45

期　　号：12

起止页码：146-150

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20170303263448)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：超材料吸波体通常是由一些在介质基底表面上周期分布的亚波长开口环谐振器(SRRs)组成,它们的吸收率在很大程度上取决于顶层SRRs的结构细节及介质的材料性质。利用时域有限积分法(FITD)对太赫兹波的超材料吸波体进行传输特性研究,分析了PI介质厚度、单元尺寸、开口环谐振器宽度、顶层silicon的电导率和PI介质的介电常数对太赫兹波超材料吸波体吸收峰位置和吸收率大小的影响。此超材料吸波体的特性研究对太赫兹波调制器、滤波器、吸收器及偏振器等器件设计和制备具有一定的指导意义。

关 键 词：超材料吸波体  吸收特性  太赫兹波 开口环谐振器  

分 类 号：TN214]