文献类型：期刊文章

作　　者：孙剑峰[1] 姜鹏[2] 张秀川[3] 周鑫[1] 付宏明[2] 高新江[3] 王骐[1]

机构地区：[1]哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐(气体)激光技术国防科技重点实验室,黑龙江哈尔滨150001 [2]北京机电工程研究所,北京100074 [3]中国电子科技集团公司第四十四研究所,重庆400060

出　　处：《红外与激光工程》

年　　份：2016

卷　　号：45

期　　号：12

起止页码：82-86

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20170303263437)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：近十年来,由于盖革模式APD焦平面探测器在探测灵敏度、空间分辨率和距离分辨率等方面的优势,使得面阵APD激光主动成像技术成为国际上的研究热点。考虑到大气传输特性,InGaAs材料或者HgCdTe材料的面阵APD探测器成为研制首选。在国内自研InGaAs材料的32×32像元Gm-APD基础上,搭建了一套1570nm激光主动成像实验平台,在成像帧频1kHz、单脉冲能量2mJ条件下,获得了外场3.9km目标的轮廓像,在720m处能获得目标的清晰表面结构距离像。通过该外场实验,证实了国内自研的面阵Gm-APD探测器性能良好,能够演示外场激光主动成像功能。实验结果表明,1570nm面阵APD激光成像雷达成像性能良好,能够实现远距离目标遥感探测,为未来实际应用奠定了良好的研究基础。

关 键 词：激光成像雷达 面阵Gm-APD  INGAAS

分 类 号：TN29]