文献类型：期刊文章

作　　者：蒋联娇[1] 符斯列[1] 秦盈星[1] 李健翔[1]

机构地区：[1]华南师范大学物理与电信工程学院,广东省量子调控工程与材料重点实验室,广州510006

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10575039);广东省自然科学基金资助项目(S2013010012548)

年　　份：2016

卷　　号：47

期　　号：12

起止页码：12139-12146

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD_E2015_2016、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法分别计算了VGa和VN距掺入Mn原子为近邻、次近邻、远近邻各3种情况下GaN体系的电子结构和光学性质,分析比较了空位的不同位置对Mn掺杂GaN体系磁性的影响。计算结果表明,Mn掺杂会导致GaN体系带隙增大且体系表现为半金属铁磁性;VN的存在会增强缺陷复合物体系的铁磁性,且随着VN相对杂质Mn距离越近,体系总磁矩增加;而VGa的存在会降低缺陷复合物体系的铁磁性,且随Ga空位相对杂质Mn距离越近,体系总磁矩减少。不同位置的VGa和VN均会导致缺陷复合物体系主吸收峰和光吸收边相对于单Mn掺杂而言向低能方向移动,出现红移现象。

关 键 词：GaN晶体  MN掺杂 空位 电子结构 光学性质

分 类 号：O472] O482.54[物理学类]