文献类型：期刊文章

作　　者：孙智[1] 谢建军[2] 王宇[2,3] 施鹰[2] 雷芳[2]

机构地区：[1]四川工商职业技术学院轻化工程系,四川611830 [2]上海大学材料科学与工程学院光电子材料与器件研究中心,上海200444 [3]上海宇昂水性新材料科技有限公司,上海200124

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：上海市科委能力建设专项基金(14520500300);国家自然科学基金青年基金(21301115)

年　　份：2016

卷　　号：45

期　　号：11

起止页码：2561-2566

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Tb^(3+)离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜(Tb∶Lu_2SiO_5),利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见荧光光谱(PL)对Tb∶Lu_2SiO_5薄膜的不同温度热处理的结构演变和发光性能进行了表征。研究结果表明Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜表面均匀、平整、无裂纹,薄膜样品从800℃开始晶华,1100℃时晶化完全。Tb∶Lu_2SiO_5的发光性能表现为Tb^(3+)离子的4f→5d和5D4(5D3)→7FJ(J=6,5,4,3)跃迁结果(监测波长分别为480~650 nm和350~470 nm),激发主峰位于~240 nm,发射光谱主峰为542 nm的绿光发射。研究表明Tb^(3+)掺杂浓度对Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜的发光强度会产生明显影响,掺杂15mol%的Tb^(3+)时,Tb∶Lu_2SiO_5薄膜的发光强度最强。

关 键 词：SOL-GEL法 Tb∶Lu2SiO5光学薄膜  结构演变  发光性能

分 类 号：O484]