文献类型：期刊文章

作　　者：刘卫东[1] 金立军[1] 钱家骊[1] 张雅林[2] 申豫章[2] 王淑平[2]

机构地区：[1]清华大学电机系,100084 [2]西安高压开关厂,710077

出　　处：《电工技术学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 5 0 0 770 12 );国家机械工业局九五攻关项目 ( 97 312 0 2 0 4A)

年　　份：2002

卷　　号：17

期　　号：4

起止页码：22-25

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了用铁氧体磁环抑制全封闭组合电器 (GIS)的特快速暂态过电压 (VFTO)的可能性。低电压模拟试验表明 ,在导体上放置铁氧体磁环等效于在导体中接入一个并联的电感和电阻 ,能够阻尼行波的传播 ,抑制快速暂态过程。

关 键 词：铁氧体 磁环抑制  GIS VFTO 可能性  全封闭组合电器 特快速暂态过电压

分 类 号：TM595]