文献类型：期刊文章

作　　者：周殿凤[1] 陈红霞[1] 庄国策[1]

ZHOU Dian-Feng CHEN Hong-Xia ZHUANG Guo-Ce(College of Physical Science and Electronic Techniques, Yancheng Teachers University, Yancheng 224002, Chin)

机构地区：[1]盐城师范学院新能源与电子工程学院,盐城224000

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金(11247235;11404279;11547263);江苏省青蓝工程(QLP)

年　　份：2016

卷　　号：53

期　　号：6

起止页码：1307-1311

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、BIOSISPREVIEWS、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：运用第一性原理方法研究了C掺杂ZnS纳米线的电子性质和磁性质.研究发现C原子趋于替代纳米线表面的S原子.所有掺杂纳米线显示了半导体特性.纳米线的总磁矩主要来源于C原子2p轨道的贡献.由于杂化,相邻的Zn原子和S原子也产生了少量自旋.在超原胞内,C、Zn和S原子磁矩平行排列,表明它们之间是铁磁耦合.铁磁态和反铁磁态的能量差达到了121meV,表明C掺杂ZnS纳米线可能存在室温铁磁性,这在自旋电子学领域有很大应用前景.

关 键 词：掺杂 纳米线 电子性质 磁性质 密度泛函理论

分 类 号：O469]