期刊文章详细信息
利用MIVM模型预测冶金级硅真空精炼过程杂质的挥发特性 ( EI收录)
Modeling and Calculation of Impurities Volatilization in Vacuum Refining of Metallurgical Grade Silicon
文献类型:期刊文章
Yu Qiang Wu Jijun Ma Wenhui Liu Kai Wei Kuixian Yang Bin Dai Yongnlan(Key Laboratory for Nonferrous Vacuum Metallurgy of Yunnan Province,Kunming University of Science and Technology,Kunming 650093, China State Key Laboratory of Complex Nonferrous Metal Resources Cleaning Utilization in Yunnan Province, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650093, China Engineering Research Center for Silicon Metallurgy and Silicon Materials of Yunnan Provincial Universities, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650093, China)
机构地区:[1]昆明理工大学云南省有色金属真空冶金重点实验室,昆明650093 [2]昆明理工大学云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心,昆明650093 [3]昆明理工大学复杂有色金属资源清洁利用国家重点实验室,昆明650093
基 金:国家自然科学基金项目(21563017;51334002);云南省自然科学基金项目(2016FA022)
年 份:2016
卷 号:36
期 号:10
起止页码:1193-1199
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD_E2015_2016、EI、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:运用分子相互作用体积模型预测了二元硅基熔体中Zn、Sb、Mg、Mn、Cu和Sn的活度系数.结合模型所得的对势能相互作用B参数和活度等热力学数据,计算了硅与各杂质元素形成的二元系蒸发系数和挥发速率,绘制出了硅基合金蒸馏过程中的气液相平衡图。研究结果表明,模型所预测的活度值与实验值吻合很好,真空精炼有利于Sb、Zn、Mg从硅熔体中分离,而Mn、Cu、Sn难以分离。硅中的各杂质的蒸发行为受其活度和温度的联合控制。本文通过对冶金硅中杂质挥发性质的研究,为真空提纯冶金级硅提供了可靠的理论依据。
关 键 词:分子相互作用体积模型 冶金级硅 真空蒸馏 气液相平衡
分 类 号:TF131]
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