文献类型：期刊文章

作　　者：常晓阳[1] 尧舜[1] 杨翠柏[2] 张杨[1,2] 陈丙振[1,2] 张小宾[2] 张奇灵[1] 王智勇[1]

机构地区：[1]北京工业大学激光工程研究院,北京100124 [2]瑞德兴阳新能源技术有限公司,广东中山528437

出　　处：《材料科学与工程学报》

基　　金：科技强企支撑计划资助项目(2013A3FC0192);2013中山市战略性新兴产业资助项目(ZSEI-2013468008)

年　　份：2016

卷　　号：34

期　　号：5

起止页码：694-697

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长Ga_xIn_(1-x)P外延层,探究不同生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料的无序生长特性的影响。为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试,并修正由Ga_xIn_(1-x)P材料组分改变引起的带隙偏移。最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高Ga_xIn_(1-x)P材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5%。

关 键 词：GaxIn1-xP  无序度 生长温度 太阳能电池

分 类 号：O782.9] TB39[材料类]