文献类型：期刊文章

作　　者：魏淑萍[1] 王德苗[1,2,3] 金浩[1]

机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程学院,浙江杭州310027 [2]浙江大学昆山创新中心,江苏昆山215300 [3]苏州求是真空电子有限公司,江苏昆山215300

出　　处：《材料科学与工程学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61204124)

年　　份：2016

卷　　号：34

期　　号：5

起止页码：689-693

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：微波介质陶瓷谐振器在无线通信基站中有广泛的应用,其品质因数（Q值）主要由材料的介质损耗和金属膜的电导损耗所决定的,传统丝印烧结的金属化膜损耗较大,已成为限制谐振器Q值的主要因素。本文采用直流磁控溅射对相对介电常数为45的微波介质陶瓷进行金属化处理,研究了不同的清洗工艺和复合膜系对介质谐振器性能的影响。实验结果表明,1表面精细打磨和等离子清洗工艺有利于提高膜层结合力,其中Cr/Cu/Ag复合膜系性能最佳,溅射金属化膜层结合力可达6.4MPa,优于丝印工艺的1.8MPa;250～100nm厚度的过渡层金属Cr对Q值几乎无影响,因此可用Cr层提高结合力,且不会牺牲器件Q值;3溅射后器件的Q值最大可达到2673,明显优于丝印烧结工艺的2268。

关 键 词：直流磁控溅射 介质谐振器 复合膜系  等离子清洗 Q值

分 类 号：TM283[材料类] TN929.52]