期刊文章详细信息
缺陷周围载流子分布的时域GUI演示
The temporal evolution of carrier distribution around defects by GUI
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]武汉理工大学理学院物理科学与技术系,湖北武汉430070
基 金：武汉理工大学教学研究项目(w2014080;w2015053)资助
年 份：2016
卷 号：35
期 号：9
起止页码：24-29
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2014、核心刊
摘 要：半导体材料中的微量缺陷能够在很大程度上影响其光电特性,不同类型的缺陷造成的影响也不一样.本文以数学物理方法中的差分解法为基础,对半导体物理中的连续性方程进行离散处理,同时借助Matlab中的GUI界面作为演示工具,分别展示了局域光照和均匀全域光照下,点缺陷、线缺陷对半导体中非平衡载流子空间分布的影响.通过相关参数的选择设置及物理图像的演示,可以让学生了解数学物理方法的应用,同时在半导体物理课程学习中获得更直观的学习体验.
关 键 词：缺陷 载流子浓度 时域演化 扩散长度
分 类 号：O483]
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