文献类型：期刊文章

作　　者：阮静雅[1] 孙克辉[1] 牟俊[1]

机构地区：[1]中南大学物理与电子学院,长沙410083

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61161006;61573383)资助的课题~~

年　　份：2016

卷　　号：65

期　　号：19

起止页码：19-29

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20164202924793)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000387141500003)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用二次型磁控忆阻器作为系统的正反馈项,设计了一个超混沌电路,建立了该系统的无量纲数学模型,探讨了忆阻器混沌系统与原混沌系统的不同之处.分析了系统的平衡点集和稳定性,发现系统继承了原系统的对称性,确定了系统参数所对应的稳定和不稳定区域分布,得到了系统的稳定和不稳定平衡点集.采用分岔图、Lyapunov指数谱、Poincaré截面等分析方法,研究了系统的动力学行为随系统参数和忆阻器初始状态而变化的情况,观察到了混沌系统随忆阻器初值不同引起的吸引子共存和状态转移现象,结合相图与谱熵算法分析了状态转移现象.设计并实现了该系统的模拟电子电路,实验结果表明,电路实验结果与数值仿真结果相吻合,为忆阻器混沌电路的实际应用奠定了基础.

关 键 词：忆阻器  超混沌 简化Lorenz系统  吸引子共存  

分 类 号：TM501] O415.5]