文献类型：期刊文章

作　　者：温裕贤[1] 张彦[1] 储耀卿[1] 杨波波[1] 徐家跃[1]

机构地区：[1]上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所,上海201418

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金：国家自然科学基金项目(51572175;51342007)

年　　份：2016

卷　　号：44

期　　号：10

起止页码：1446-1450

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20164402959986)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用坩埚下降法生长了尺寸为f25 mm×100 mm的Ho^(3+)掺杂的Bi_4Si_3O_(12)(BSO:Ho)晶体,研究了所得晶体的透射光谱、激发光谱、发射光谱等特性。结果表明:BSO:Ho晶体透射光谱与纯BSO晶体基本一致,在350~800 nm波长范围的透过率约为80%,吸收边在286 nm处;在360、454和537 nm处存在与Ho^(3+)有关的吸收峰;激发光谱在240~310 nm波段出现1个宽的激发带,峰值在290 nm左右;发射光谱中除480 nm发射带外,在573 nm附近有多个与Ho^(3+)有关的尖锐发射峰。BSO:Ho晶体的主要发光分量的荧光衰减时间为94.41 ns,表明掺杂0.1%Ho^(3+)(摩尔分数)有利于提高BSO晶体的闪烁性能。

关 键 词：硅酸铋晶体 坩埚下降法 晶体生长 钬掺杂  光谱性能

分 类 号：O782]