文献类型：期刊文章

作　　者：白爱枝[1,2] 李瑞云[1,2] 王新雨[3] 杨晓炜[1,2] 于洪剑[1,2]

机构地区：[1]内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特010021 [2]内蒙古自治区离子束生物工程重点实验室,呼和浩特010021 [3]内蒙古大学生命科学学院,呼和浩特010021

出　　处：《高电压技术》

基　　金：国家自然科学基金(51267013)~~

年　　份：2016

卷　　号：42

期　　号：8

起止页码：2534-2539

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20163402734022)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了研究高压静电场(HVEF)对大肠杆菌(E.coli)的损伤效应,采用不同处理条件的HVEF处理E.coli,考察了菌体的存活率、突变率及形态损伤。结果表明:在不同处理条件下,E.coli存活率和突变率均呈振荡型变化,且2者呈负相关,在4 k V/cm×2 min的处理条件下存活率最低,仅为(7.77±1.73)%,突变率达最高,为(13.73±1.99)×10-6,说明HVEF对菌体的存活具有抑制和激活的双重作用,在抑制作用下,细胞受到的损伤较大且相应的突变率也较高;通过电镜观察,发现HVEF作用下E.coli细胞膜破损并伴随有细胞内容物的溢出,说明高压静电场可有效破坏细胞的膜结构;通过测量HVEF在同一场强不同处理时间作用下菌液的核酸和蛋白质含量变化,发现上述2个参数在电场作用下也呈振荡型变化,说明适当的电场处理条件可调控菌体细胞膜的通透性,且在适当的电场处理条件下E.coli自身可能具有损伤修复功能。

关 键 词：高压静电场 大肠杆菌 存活率 突变率 电镜 生物学效应

分 类 号：Q937]