文献类型：期刊文章

作　　者：王贞福[1] 杨国文[1,2] 吴建耀[2] 宋克昌[2] 李秀山[1] 宋云菲[1]

机构地区：[1]中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安710119 [2]西安立芯光电科技有限公司,西安710077

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61504167);中国科学院百人计划(批准号:Y429941233)资助的课题~~

年　　份：2016

卷　　号：65

期　　号：16

起止页码：109-114

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000384764500012)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm^(-1).制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平.

关 键 词：半导体激光器阵列 电光转换效率 光吸收损耗  非对称宽波导结构  

分 类 号：TN248.4]