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环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下沉积高品质金刚石膜 ( EI收录)
Deposition of High Quality Diamond Films with High Power by a Circumferential Antenna Ellipsoidal Cavity Type MPCVD Reactor
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]北京科技大学新材料技术研究院,北京100083 [2]河北省激光研究所,石家庄050081 [3]河北普莱斯曼金刚石科技有限公司,石家庄050081 [4]中国科学院北京纳米能源与系统研究所,北京100083
年 份:2016
卷 号:45
期 号:8
起止页码:2028-2033
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:介绍了自行研制的环形天线-椭球谐振腔式高功率MPCVD装置的结构特点,展示并研究了新装置在高功率条件下的放电特性。在10.5 k W的高微波输入功率下成功制备了直径50 mm,厚度接近1 mm的高品质自支撑金刚石膜。在真空泄漏速率约2.5×10^(-6)Pa·m^3/s的条件下金刚石膜的生长速率达到6μm/h,金刚石膜厚度偏差小于±2.1%。抛光后的金刚石膜红外透过率在6.5~25μm范围内接近71%;紫外透过率在270 nm处超过50%,金刚石膜样品的光学吸收边约为225 nm;通过紫外吸收光谱计算的金刚石膜样品中的氮杂质含量约为1.5 ppm;金刚石膜的拉曼半峰宽小于1.8 cm^(-1)。
关 键 词:金刚石膜 化学气相沉积 高功率 氮杂质 椭球谐振腔
分 类 号:O614]
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