文献类型：期刊文章

作　　者：江亚林[1] 江向平[1] 陈超[1] 涂娜[1] 江兴安[1] 陈云婧[1]

机构地区：[1]景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷重点实验室,江西景德镇333001

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金：国家自然科学基金(51562014,51262009);江西自然科学基金(20133ACB20002,20142BAB216009);江西省高等学校“先进陶瓷材料”科技创新团队;江西省教育厅科技项目(GJJ150911,GJJ150931,GJJ150933);江西省创新训练项目(212050-008)资助

年　　份：2016

卷　　号：44

期　　号：9

起止页码：1270-1275

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20164102893455)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用固相法制备Er、Zr共掺铋层状结构陶瓷(K0.16Na0.84Bi)0.47Er0.02Bi4Ti4–xZrxO15(KNBET–Zr–x,0≤x≤0.12,x为摩尔分数),研究了不同Zr含量对样品的结构、电学与上转换发光性能的影响。结果表明:所有样品均为单一的正交相铋层状结构,无其他杂相出现。随着Zr掺入量的增加,晶格常数a、b、c不断增大,正交畸变(b/a)的值逐渐减小;适量Zr掺杂使样品的介电损耗降低,剩余极化强度2Pr和压电常数d33得到提高;当x=0.04时,样品具有最佳的综合电学性能:介电损耗tanδ=0.61%、压电性能d33=24 p/CN、剩余极化强度2Pr=3.02μC/cm2。在980 nm近红外光源激发下,所有样品均呈现出较强的绿光发射,对应于2H11/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2的跃迁。随着Zr离子掺入量增加,正交畸变(b/a)减少,荧光强度逐渐下降。

关 键 词：正交畸变  上转换发光 介电性能 压电陶瓷

分 类 号：TQ174]