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期刊文章详细信息

阴极界面修饰层改善平面p-i-n型钙钛矿太阳能电池的光伏性能    

Cathode Buffer Layer for Improving Photovoltaic Performance of Planar p-i-n Perovskite Solar Cells

  

文献类型:期刊文章

作  者:刘晓东[1] 李永舫[1,2]

机构地区:[1]苏州大学材料与化学化工学部,先进光电材料重点实验室,苏州215123 [2]中国科学院化学研究所有机固体实验室,北京100190

出  处:《电化学》

基  金:国家自然科学基金项目(No.91333204;No.91433117)资助

年  份:2016

卷  号:22

期  号:4

起止页码:315-331

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD_E2015_2016、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:有机/无机杂化金属卤化物钙钛矿半导体材料结合了有机材料良好的溶液可加工性以及无机材料优越的光电特性,近几年受到了热捧,成为太阳能电池领域一颗耀眼的明星.伴随着钙钛矿薄膜结晶过程和形貌的优化、器件结构的改进以及电极界面材料的开发,这类有机/无机杂化金属卤化物钙钛矿太阳能电池的光电转换效率从最初的3.8%迅速提高到目前最高的22.1%.其中界面工程在提升器件性能上发挥着极其重要的作用.本文总结了平面p-i-n型钙钛矿太阳能电池中阴极界面修饰层(CBL)的研究进展.CBL从材料上讲可分为无机金属氧化物、金属或金属盐以及有机材料,从构成上讲可分为单层CBL、双层CBLs以及共混型CBL.本文对这些类型的CBL分别给予详细的介绍.最后,我们归纳出CBL在改善器件效率和稳定性上所起的作用以及理想CBL所应满足的要求,希望能为以后阴极界面修饰材料的设计提供一定的借鉴.

关 键 词:平面p-i-n型钙钛矿太阳能电池  阴极界面修饰层  效率和稳定性  有机/无机杂化金属卤化物钙钛矿半导体材料  

分 类 号:TM914.4]

参考文献:

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同被引文献:

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