文献类型：期刊文章

作　　者：黄华茂[1,2] 黄江柱[1] 胡晓龙[1] 王洪[1,2]

机构地区：[1]华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院,广东广州510640 [2]广州现代产业技术研究院,广东广州511458

出　　处：《发光学报》

基　　金："863"国家高技术研究发展计划(2014AA032609);国家自然科学基金(61404050);广东省科技计划(2014B010119002;2016A010103011);广州市珠江科技新星专项(201610010038);中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZM131)资助项目

年　　份：2016

卷　　号：37

期　　号：8

起止页码：967-972

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20163402721335)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米柱结构的形貌,并测试了常温和10 K低温时的光致发光谱(PL)。结果表明:应变释放对压电场的影响显著,使得纳米柱结构样品的内量子效率(IQE)提高,PL谱峰值波长蓝移;应变在量子阱中的不均匀分布还使得PL谱半高全宽(FWHM)展宽。与普通平面结构相比,高度为747 nm的纳米柱结构可使得IQE提升917%,PL谱峰值波长蓝移18 nm、FWHM展宽7 nm。另外,纳米柱结构样品的有源区有效面积减小可使得PL谱FWHM减小。

关 键 词：GAN基LED 绿光LED 纳米柱结构  光致发光谱

分 类 号：TN303]