文献类型：期刊文章

作　　者：梁亦然[1] 夏继业[1] 梁学磊[1]

机构地区：[1]北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京100871

出　　处：《科学通报》

年　　份：2016

卷　　号：61

期　　号：21

起止页码：2427-2427

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI、IC、JST、MR、RCCSE、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：与现有的薄膜晶体管技术相比，碳纳米管薄膜晶体管（CNT—TFT）具有载流子迁移率高、稳定性好、加工温度低、工艺过程简单的优势，因而被认为在显示驱动背板、柔性电子器件及传感器等方面具有广泛的实用前景．通常CNT—TFT的制备多是采用CNT溶液沉积法，在基底上得到的是无序的网络状薄膜，存在大量的CNT交叉结．受CNT材料制备的限制，

关 键 词：薄膜晶体管 材料制备  碳纳米管 开关比 短沟道 电泳法 边缘场  载流子迁移率

分 类 号：TN321.5]