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期刊文章详细信息

氮化物外延生长在线监测技术  ( EI收录)  

In-Situ Monitoring Technology for Growth of Ⅲ Nitrides by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

  

文献类型:期刊文章

作  者:王超[1] 张泽展[1] 陈磊[1] 王飞[1] 胡俊[1] 梁莹林[1] 姜晶[1] 杨萍[1] 马铁中[2]

机构地区:[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都611731 [2]北京智朗芯光科技有限公司,北京昌平区102206

出  处:《电子科技大学学报》

基  金:四川省科技计划(2014GZ0151;2016JQ0022);中央高校基本科研业务费(ZYGX2013J115)

年  份:2016

卷  号:45

期  号:4

起止页码:650-658

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘  要:金属有机化学气相沉积外延技术(MOCVD)是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术,是大规模生产第三代半导体光电子、微电子器件的重要方法,也是制备半导体异质结、超晶格、量子阱等低维结构的主要手段。第三代半导体材料的飞速发展对MOCVD设备提出了更高的要求,MOCVD在线监测技术作为控制生长过程的前提,面临更多的挑战。该文综合介绍和比较了当今各种MOCVD在线监测技术的发展情况,并对MOCVD在线监测技术中的关键技术——红外测温、生产信息、曲率测量、光致发光做出简要介绍和看法。

关 键 词:曲率测量  生长信息  红外测温 MOCVD在线监测技术  光致发光

分 类 号:TN304.054]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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