文献类型：期刊文章

作　　者：陈庆玲[1] 戴振宏[1] 刘兆庆[2] 安玉凤[1] 刘悦林[1]

机构地区：[1]烟台大学光电信息科学技术学院计算物理实验室,烟台264005 [2]国家自然科学基金委员会,北京100085

出　　处：《物理学报》

基　　金：教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-09-0867)资助的课题~~

年　　份：2016

卷　　号：65

期　　号：13

起止页码：202-208

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20162902623737)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000380364800024)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了双层h-BN/Graphene的稳定性及其掺杂特性.研究发现,双层h-BN/Graphene能带结构在K点处有一个小的带隙,在费米能处有类Graphene的线性色散关系.通过施加应变和掺杂来调节带隙,发现掺杂后费米能级附近引入的新能级,主要是N原子的贡献,掺杂后的Na原子和N,C之间存在电荷转移,材料转变为金属性.电荷的转移、载流子密度的增加,在电子元器件中有重要的应用前景.

关 键 词：第一性原理 硼氮平面  原子掺杂  电子性质

分 类 号：O469]