文献类型：期刊文章

作　　者：何亮[1,2] 刘扬[1,2]

机构地区：[1]中山大学电子与信息工程学院,广州510275 [2]中山大学电力电子及控制技术研究所,广州510275

出　　处：《电源学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51177175);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032606);广东省自然科学基金资助项目(2015A030312011)~~

年　　份：2016

卷　　号：14

期　　号：4

起止页码：1-13

语　　种：中文

收录情况：CSCD、CSCD_E2015_2016、JST、RCCSE、普通刊

摘　　要：氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能更充分发挥GaN性能的"真"常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化,仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。

关 键 词：氮化镓  Si衬底上GaN功率电子器件  GAN MOSFET器件 产业化  

分 类 号：TN304.23]