文献类型：期刊文章

作　　者：曹静思[1] 韦美菊[1] 陈飞武[1]

机构地区：[1]北京科技大学化学与生物工程学院化学与化学工程系功能分子与晶态材料科学与应用北京市重点实验室,北京100083

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(21173020;21473008)资助项目~~

年　　份：2016

卷　　号：32

期　　号：7

起止页码：1639-1648

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000384081400009)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000384081400009)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了基态极性分子的键角和键偶极矩之间的关系。我们采用原子偶极矩校正的Hirshfeld(ADCH)电荷来计算键偶极矩,利用电子的局域函数和键临界点处的局域函数值来分析键的电子结构。通过对IVA族(IVA=C,Si,Ge)、VA族(VA=N,P,As)、VIA族(VIA=O,S,Se)和VIIA族(VIIA=F,Cl,Br)元素形成的系列共价型基态分子,以及环状基态分子的键角和键偶极矩数据进行分析,发现在键的电子结构类似的情况下,由于键偶极矩的排斥作用,这些分子的键角随键偶极矩的增加而增大。这一发现有助于加深我们对分子几何结构的认识。

关 键 词：极性分子 键角 键偶极矩  原子电荷 电子局域函数  

分 类 号：O641.1]