文献类型：期刊文章

作　　者：范涛健[1] 袁俊辉[1] 杨永勇[1] 余念念[1] 王嘉赋[1]

机构地区：[1]武汉理工大学理学院物理系,武汉430070

出　　处：《无机化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(No.11504281)资助项目

年　　份：2016

卷　　号：32

期　　号：7

起止页码：1183-1189

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、IC、JST、RCCSE、RSC、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000386540000009)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法研究了本征ZnO、Co和Y单掺杂ZnO、Co-Y不同配位共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算结果表明,在本文的掺杂浓度下,Co和Y单掺杂可以提高ZnO的载流子浓度,从而改善ZnO的导电性,Co-Y共掺时ZnO半导体进入简并状态,呈现金属性。Co掺杂ZnO会在可见光和近紫外区域发生吸收增强现象,而Y掺杂ZnO可以提高体系在紫外区域的吸收,其中由于Co离子和Y离子之间的协同效应,Co-Y共掺ZnO时体系对可见光和近紫外区域的光子能量吸收大幅增加,因此Co-Y共掺杂ZnO可以用于制作光电感应器件。

关 键 词：ZNO 第一性原理 电子结构  光学性质

分 类 号：O649.4]