文献类型：期刊文章

作　　者：袁配[1] 吴远大[2] 王玥[2] 安俊明[2] 胡雄伟[2]

机构地区：[1]河南仕佳光子科技有限公司,河南鹤壁458030 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家"863"计划项目(2013AA031402)

年　　份：2016

卷　　号：37

期　　号：3

起止页码：313-317

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：设计并制作了基于绝缘体上硅（SOI）材料的1×16阵列波导光栅（AWG）。该AWG器件的中心波长为1 550nm,信道间隔为200GHz,采用了脊型波导结构。首先确定了波导的结构尺寸以保证单模传输,并利用束传播法（BPM）模拟了波导间隔、弯曲半径和锥形波导长度等参数对器件性能的影响,对器件结构进行了优化,同时也利用BPM方法模拟了器件的传输谱。模拟结果显示：器件的最小信道损耗为4.64dB,串扰小于-30dB。根据优化的器件结构,通过光刻等半导体工艺制作了AWG,经测试得到AWG器件的损耗为4.52～8.1dB,串扰为17～20dB,能够实现良好的波分复用/解复用功能。

关 键 词：阵列波导光栅 波分复用 绝缘体上硅 单片集成

分 类 号：TN256]