文献类型：期刊文章

作　　者：袁振洲[1] 刘丹敏[1] 田楠[1] 张国庆[1] 张永哲[2]

机构地区：[1]北京工业大学固体微结构与性能研究所固体微结构与性能北京市重点实验室,北京100124 [2]北京工业大学材料科学与工程学院功能材料教育部重点实验室,北京100124

出　　处：《化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(NSFC)(Nos.51302081;61575010);北京市科技新星(No.Z141109001814053);北京市科委先导与优势材料创新项目(No.Z151100003315018);中科院半导体材料科学重点实验室开放课题(No.KLSMS-1404);中央基本科研项目(No.222015Y-4006)资助~~

年　　份：2016

卷　　号：74

期　　号：6

起止页码：488-497

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、IC、JST、RCCSE、RSC、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000386725800003)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：磷有多种同素异构体:红磷、白磷、黑磷,其中黑磷热力学稳定.二维材料因其低维效应而备受关注,而近期二维黑磷的成功制备使其成为二维材料的新成员.二维黑磷是带隙可调的片层结构半导体材料,在光电领域有很大的潜力,因而备受瞩目.本文大量引用参考文献,综述了黑磷的结构、制备方法,并详细介绍了二维黑磷的各种性质及其器件性能的研究,以及化学稳定性及防降解措施.最后分析了二维黑磷的研究发展趋势.

关 键 词：二维半导体材料  黑磷  制备  性质  器件性能  

分 类 号：TN304.17]