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期刊文章详细信息

IGBT极限功耗与热失效机理分析  ( EI收录)  

Analysis of Limiting Power Dissipation and Thermal Failure Mechanism

  

文献类型:期刊文章

作  者:汪波[1] 罗毅飞[1] 张烁[2] 刘宾礼[1]

机构地区:[1]海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室,武汉430033 [2]武汉船舶通信研究所,武汉430079

出  处:《电工技术学报》

基  金:国家重点基础研究发展计划(973计划)(2013CB035601);国家自然科学基金重大项目(51490681)资助

年  份:2016

卷  号:31

期  号:12

起止页码:135-141

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号:20162802589503)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最大功耗是安全工作区的重要组成部分,与外部散热装置、内部热阻以及使用工况等有关,而器件手册给出的最大功耗是理想值,难以反映实际工况,若设计不当会造成IGBT热击穿失效。基于对IGBT功耗以及结-壳稳态热阻的温度特性分析,通过联立IGBT功耗的温度曲线和结-壳传热功耗的温度曲线进行热平衡分析,得到了结温的热稳定点、非稳定点以及临界点,由此得到了在临界点处的IGBT极限功耗,对在非稳定点时IGBT结温和功耗间的正反馈关系分析了IGBT热失效机理,最后进行了实验验证。

关 键 词:绝缘栅双极型晶体管 极限功耗  热平衡 热失效  

分 类 号:TN322]

参考文献:

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同被引文献:

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