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期刊文章详细信息

第一性原理计算Cu-Cr共掺AlN稀磁半导体    

First-principles Calculation of Cu-Cr Co-doped Al N Diluted Magnetic Semiconductors

  

文献类型:期刊文章

作  者:王静[1] 樊聪[1] 邓军权[1] 毋志民[1] 刘畅[1] 范凤[1] 胡爱元[1] 崔玉亭[1]

机构地区:[1]重庆师范大学物理与电子工程学院,光电功能材料重庆市重点实验室,重庆401331

出  处:《计算物理》

基  金:国家自然科学基金(61201119);教育部科学技术重点项目(211152);重庆市自然科学基金重点项目(cstc2013jj B0155);重庆市基础与前沿研究计划项目(cstc2014jcyj A50005);重庆市教委科研项目(KJ110634);国家创新创业训练计划项目(201410637001)资助

年  份:2016

卷  号:33

期  号:1

起止页码:99-107

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD2015_2016、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度(GGA)近似对Cr单掺Al N和Cu-Cr共掺Al N的32原子超原胞体系进行几何结构优化,计算它们的晶格常数,能带结构,电子态密度以及光学性质.结果表明Cr单掺Al N和Cu-Cr共掺Al N均表现为半金属性质,带隙变窄,且Cu-Cr共掺体系自旋极化作用较Cr单掺强,材料表现出良好的铁磁性.共掺杂后,光吸收的范围增宽,体系对长波吸收加强,能量损失明显减小.

关 键 词:Cu-Cr共掺Al  N  第一性原理 电子结构  光学性质

分 类 号:O472] O469[物理学类]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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