文献类型：期刊文章

作　　者：冯大建[1] 丁雨憧[1] 刘军[1] 李和新[1] 付昌禄[1] 胡少勤[1]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十六研究所,重庆400060

出　　处：《压电与声光》

基　　金：中国电子科技集团公司第二十六研究所所控基金资助项目(26-1508)

年　　份：2016

卷　　号：38

期　　号：3

起止页码：430-432

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSCD、CSCD_E2015_2016、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm,光输出为54 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为94ns。

关 键 词：闪烁晶体 石榴石 Ce:GAGG  提拉法 光输出

分 类 号：TN384]