文献类型：期刊文章

作　　者：郝昕[1] 孙慧斌[1] 赵海歌[1] 胡世鹏[1] 罗奇[1] 谭志新[2,3] 白尔隽[1]

机构地区：[1]深圳大学物理与能源学院,广东深圳518060 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100049 [3]东莞中子科学中心,广东东莞523803

出　　处：《深圳大学学报（理工版）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11575118)~~

年　　份：2016

卷　　号：33

期　　号：3

起止页码：248-253

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2015_2016、EI、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：为提高探测器级高纯锗多晶材料的制备效率,开展对锗材料多次区熔过程的参数优化的数值模拟.利用分凝原理对高纯锗多晶材料制备的区熔过程进行数值模拟,针对杂质分凝系数小于1的情况,比较了不同区熔速度下,单次和多次区熔的提纯效果.结果表明,虽然速度越慢单次区熔效果越好,但对多次区熔的累计效果要采用相对快速多次的方法,以实现相同提纯效果下总时间最短,即多次累计的区熔效率最高.给出了区熔速度的优化方法,以指导实验提高区熔效率.

关 键 词：半导体  高纯锗制备  高纯锗探测器 区熔提纯  杂质浓度  数值模拟 参数优化

分 类 号：TN304.1]