文献类型：期刊文章

作　　者：李桂芳[1] 何晓英[1] 贾晶[1]

机构地区：[1]西华师范大学化学化工学院,电化学研究所,四川南充637002

出　　处：《分析测试学报》

基　　金：四川省高校科技创新团队建设项目(2010008)

年　　份：2016

卷　　号：35

期　　号：5

起止页码：563-568

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、JST、RCCSE、RSC、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：制备了聚磷钨酸／壳聚糖-乙炔黑修饰电极（p-PTA／CS—AB／GCE），采用循环伏安法（CV）研究了氯霉素在该修饰电极上的电化学行为。结果表明，在pH6．0的PBS溶液中，氯霉素（CAP）在该修饰电极上出现1个还原峰，在40—400mV／s扫速范围内，CAP的还原峰电流与扫速呈线性关系，说明CAP在修饰电极上的电化学反应过程是受吸附控制的不可逆过程。用差分脉冲伏安法（DPV）对不同浓度的CAP进行检测，在5．0×10^-71．0×10^-4mol／L浓度范围内，还原峰电流与浓度呈线性关系，检出限（S／N=3）为5．13×10^-8mol／L。用该方法对氯霉素片进行检测，相对标准偏差（RSD）为1．4％，回收率为97．7％～105．1％。

关 键 词：氯霉素 磷钨酸 壳聚糖  乙炔黑 差分脉冲伏安法 修饰电极

分 类 号：O657.1] R978.1[化学类]