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期刊文章详细信息

Cl掺杂对n-Cu2O的光电性能的影响    

Effect of Cl Doping on Photoelectrical Properties of n-type Cu_2O

  

文献类型:期刊文章

作  者:谢思思[1] 鲁双伟[1] 马文利[1] 杨峰[1] 席金芳[1] 邹龙生[1] 蔡芳共[1] 程翠华[1,2] 赵勇[1,2] 阚香[1] 张勇[1]

机构地区:[1]西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031 [2]新南威尔士大学材料科学与工程学院,悉尼2052

出  处:《半导体光电》

基  金:国家磁约束核聚变能研究专项项目(2011GB112001,2013GB110001);国际合作项目(2013DFA51050);国家自然科学基金项目(51271155,51377138);国家“863”计划项目(2014AA032701);高等学校博士学科点专项科研基金项目(新教师类,20120184120024)

年  份:2016

卷  号:0

期  号:2

起止页码:213-217

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:在酸性溶液中利用恒电位沉积法在导电玻璃(ITO)上沉积Cu_2O薄膜,并以KCl为添加剂对其进行掺杂,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段研究了氯掺杂对Cu_2O表面形貌和晶体结构的影响。紫外-可见吸收光光谱确定得到的Cu_2O和Cl掺杂Cu_2O(Cu_2O-Cl)样品的禁带宽度分别为1.98和1.95eV。根据表面光电压谱和相位谱,掺杂前后的Cu_2O均为n型,Cu_2O-Cl有更强的表面光电压响应。场诱导表面光电压谱结果表明未掺杂Cl的Cu_2O在加负偏压时易形成反型层;氯离子的掺杂引入杂质能级可以提高n型导电性。光电化学性能测试发现,以Cu_2O、Cu_2O-Cl为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G、100mW/cm^2标准光强作用下光电转换效率分别为0.12%和0.51%。

关 键 词:CU2O Cl掺杂  表面光电压谱 相位谱  光电化学性能

分 类 号:O649]

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