文献类型：期刊文章

作　　者：郑同场[1] 林伟[1] 蔡端俊[1] 李金钗[1] 李书平[1] 康俊勇[1]

机构地区：[1]厦门大学物理科学与技术学院,福建省半导体材料及应用重点实验室,半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,福建厦门361005

出　　处：《厦门大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)(2012CBR19300);国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032608);国家自然科学基金(11404271,11204254,61227009);促进海峡两岸科技合作联合基金(U1405253);NSFC-广东联合基金(第二期)超级计算科学应用研究专项;国家超级计算广州中心支持项目

年　　份：2016

卷　　号：55

期　　号：2

起止页码：237-243

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、BIOSISPREVIEWS、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、INSPEC、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、RSC、WOS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：高Al组分(即原子分数)AlGaN带边发光以e光为主的发光特性,从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光,成为光电器件发光效率急剧下降的主要原因.第一性原理模拟计算表明,AlxGa1-xN混晶的晶格常数比c/a偏离理想值程度随Al组分的增大而增大,导致晶体场分裂能Δcr从GaN的40meV逐渐减小;当组分达到0.5时呈现0值,Al组分继续提升,Δcr进一步下降,价带顶排列顺序翻转,直至AlN达到最低值-197meV.通过Mg掺杂应变AlGaN量子结构能带工程调控高Al组分AlGaN的价带结构,反转价带顶能带排序,实现光发射o光占主导,从根本上克服高Al组分AlGaN发光器件正面出光难的问题.

关 键 词：高Al组分AlGaN  发光偏振特性  Mg杂质  能带工程  

分 类 号：O781] O469