文献类型：期刊文章

作　　者：范恒亮[1] 汤展峰[1] 刘利萍[1] 李静[1] 黄静[1] 刘岩龙[1]

机构地区：[1]合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥230012

出　　处：《液晶与显示》

年　　份：2016

卷　　号：31

期　　号：3

起止页码：270-275

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2015_2016、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：影像残留是TFT-LCD,特别是TN型产品常见的不良,对产品良率影响很大。本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残影进行分析。发现产品设计时Data线两侧段差过大,是导致残影发生的主要原因,通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残影,实验得出配向膜膜厚高于110nm,摩擦强度高于5.5N·m时无残影发生。通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5h,摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10h,并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场,从而降低残影。通过以上措施,对于15.6HD产品,良率提升了10%,为企业高效生产奠定基础。

关 键 词：残影  扭曲向列型  配向弱区  内部电场

分 类 号：TN141.9]