文献类型：期刊文章

作　　者：曹江伟[1] 王锐[1] 王颖[1] 白建民[1,2] 魏福林[1]

机构地区：[1]兰州大学,磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州730000 [2]无锡乐尔科技有限公司,无锡214000

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61102002,51371101)资助的课题~~

年　　份：2016

卷　　号：65

期　　号：5

起止页码：296-302

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20161302154902)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000377772000036)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：基于隧穿磁电阻效应(TMR)的磁场传感器具有很高的磁场灵敏度,但同时噪声也较大,有效抑制TMR磁场传感器的噪声,尤其是低频噪声的抑制对于其在高灵敏度要求场合的应用具有重要的意义.本文采用高精度数据采集卡搭建了噪声测量系统,测量了全桥结构TMR磁场传感器的噪声频谱图,发现TMR传感器的噪声在低频段表现为1/f特性,同时噪声功率谱密度与工作电流平方成正比关系;低频噪声在自由层翻转区间内噪声急剧增大,证明了1/f噪声主要来源于磁噪声,这一结果为TMR磁场传感器的噪声特性优化指明了方向.

关 键 词：隧穿磁电阻效应  磁场传感器 低频噪声

分 类 号：TP212]