文献类型：期刊文章

作　　者：黄鸣[1] 朱静[1]

机构地区：[1]清华大学材料学院,北京电子显微镜中心,新型陶瓷和先进工艺国家重点实验室,先进材料教育部重点实验室,北京100084

出　　处：《中国科学：技术科学》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(编号:2015CB654902);国家自然科学基金(批准号:11374174,51390471)资助项目

年　　份：2016

卷　　号：46

期　　号：1

起止页码：54-60

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20161002072966)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了深入理解含Re镍基单晶高温合金高温低应力蠕变初期的蠕变行为和强化机制,本文利用电子显微学和能谱学等方法,从介观至原子尺度研究了DD6单晶高温合金在1100℃/140 MPa蠕变15 min后的界面位错组态、界面位错核心结构以及界面位错附近的合金元素分布情况.结果表明蠕变初期合金中的位错密度较低,只在局部形成位错网络,因此蠕变初期γ此蠕变界面形成的V形和台阶状凸起结构数量明显低于稳态蠕变初期(12h)时的,而且台阶状凸起结构(对应a/2<101>60°混合型位错)明显多于V形凸起结构(对应a/2<110>刃型位错,由位错反应形成).蠕变初期形成的特殊形状的台阶状凸起结构是由于界面位错沿γ/γ′界面运动形成的,而Re等合金元素的共偏聚进一步验证了Re元素偏聚同界面位错的交互作用.

关 键 词：镍基单晶高温合金 蠕变初期  位错 γ单晶界面  强化机制  

分 类 号：TG132.3[材料类]