文献类型：期刊文章

作　　者：李鑫[1] 李斌[2] 李晓云[1] 戴斌[1] 冯永宝[1] 杨建[1] 丘泰[1]

机构地区：[1]南京工业大学材料科学与工程学院,南京210009 [2]南京三乐电子信息产业集团有限公司,南京210009

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：江苏高校优势学科建设工程项目(PAPD);长江学者和创新团队发展计划(PCSIRT;IRT1146)

年　　份：2016

卷　　号：45

期　　号：2

起止页码：361-365

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃制备了SiC含量为80wt%的SiC-AlN复相陶瓷。研究了不同助剂含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响。结果表明：适量的烧结助剂能够对SiC-AlN复相陶瓷起到促进烧结作用。烧结助剂含量为6wt%时,样品显气孔率偏大;当助剂含量提高至8wt%~14wt%时,样品显气孔率显著降低,能够完全烧结致密化。复相陶瓷在烧结助剂含量为10wt%时获得最佳的致密性,其显气孔率仅为0.14%。在烧结助剂含量为8wt%时,样品具有最高的热导率51.72W·m-1·K-1。复相陶瓷的热导率主要受样品致密性和晶界相的影响,不足或过量的烧结助剂都会使样品的热导率降低。

关 键 词：碳化硅-氮化铝  热压烧结 致密性 导热性能  

分 类 号：TM25[材料类]