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RESURF技术中LDMOS外延层单位面积杂质密度研究
Study of epitaxial layer impurity density of unit area by RESURF for LDMOS
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北方工业大学电子信息工程学院微电子学系,北京100144
年 份：2016
卷 号：24
期 号：5
起止页码：169-171
语 种：中文
收录情况：RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：LDMOS器件设计中,常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件,围绕当获得最优的器件结构时,其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究,给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析,发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终,通过综合分析影响器件的关键因素,得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。
关 键 词：LDMOS RESURF 衬底掺杂浓度 外延层单位面积杂质密度
分 类 号：TN0]
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